أداء وفعالية خلايا SRAMs عند الاستخدام في التطبيقات المختلفة

الملخص

تعد ذاكرة الوصول العشوائي الستاتيكية(Static Random Access Memory (SRAM)) جزءاً أساسياً في الدارات عالية التكامل جدا ((VLSI)(Very Large Scale Integration و الأجهزة الإلكترونية وتستخدم على نطاق واسع في الأنظمة المضمنة وتطبيقات النظام على رقاقة ((SOC) (System On Chip الحديثة.
قمنا في هذه المقالة بتحليل خلية 6T SRAM التقليدية بالإضافة لعدة خلايا SRAMs أخرى وهي خلية HVT 6T SRAM وخلية 10T SRAM وخلية SE PPN 10T SRAM من حيث استهلاك الاستطاعة والاستقرار وتأخير القراءة والكتابة والمساحة ومن ثم مقارنتها فيما بينها لتحديد التطبيق المناسب لها. حيث أظهرت نتائج المحاكاة بأن الخلية HVT 6T SRAM تتمتع بأقل استهلاك استطاعة بين الخلايا المدروسة وبالتالي فإن هذه الخلية مناسبة للتطبيقات التي تتطلب استهلاك استطاعة منخفض, كما أظهرت خلية 10T SRAM التأخير الأقل في كل من عمليات القراءة والكتابة بين الخلايا المدروسة ولذلك تعتبر هذه الخلية مناسبة للتطبيقات عالية السرعة, وأظهرت الخلية SE PPN 10T SRAM استقرار قراءة عالٍ جداً مقارنةً بباقي الخلايا وبالتالي هذه الخلية مناسبة للتطبيقات التي تتطلب استقراراً عالٍ.